正电子湮没谱学测量系统用于金属、合金、半导体材料等的测量。该装置包括两个采集模块和两个电源模块。在寿命谱模式中，时间是用采样率3gs/s采集卡来采集的，它是采集来自两baf2闪烁体的高速脉冲信号。在符合多普勒展宽测量（cdb）的模式中，二维直方图是通过符合两个锗半导体探测器的波峰值得到的。此外，该设备还可以用来测amoc，这个寿命动量关联谱。

主要参数

●功能： lifetime、cdb和amoc

●adc： 时间：2ch 3gsps 8bit

            cdb ：2ch 100msps 14bit

●时间分辨： fwhm（半高宽） 192ps （511kev@22na, baf2 闪烁体） fwhm（半高宽） 160 – 190 ps (silica)

●能量分辨： 1.23kev（512kev@106ru） 1.69kev(1.33mev@60co)

●pmt高压 ： 2ch, -4000v 对于ge(锗)半导体： 2ch, +5000v ※包括前放

●接口： ethernet （tcp/ip）

●附件包括应用指导手册

1、组成部分

（1） 寿命谱模块
它是用于时间寿命谱测量，每个通道采用高速3 ghz adc。
输入信号是baf2 闪烁体探测器。
dsp内置了时间差分（cfd、tdc）功能。
（2）dsp多通道分析模块
它是一个用于伽马射谱分析模块的多路数字信号处理（dsp）模块。采集来自ge半导体探测器的前置放大器的输出信号。
采样率100 msps，adc大增益为8192。
（3）前置放大器电源模块
前置放大器电源用于给ge半导体探测器供电。
通过d-sub 9针连接器供应±24 v（50 ma）和±12 v（50 ma）电源。
连接器的引脚排列符合nim标准。
（4）高压电源模块
它是给两个baf 2闪烁探测器和两个ge半导体探测器的提供高压的高压电源。
ch1和ch2用于给ge半导体探测器提供高压，大电压+5000v（或-5000v）。
ch3和ch4用于给baf2闪烁探测器提供高压，大电压-4000v。
两者都使用shv连接器。
（5）vme机箱

7槽vme机箱，100v/200v供电，额定功率300w

2、测量模式（包含5中测量模式）

（1）寿命谱模式

寿命谱模式(lifetime )是通过同时采集两个baf 2闪烁体探测器的波形，取两个波形上升时间之差，来得到正电子寿命谱的测量。

（2）波形模式

波形模式是采集来自两个baf 2闪烁探体测器的波形。

（3）能量模式
能量模式是用于测量来自两个ge半导体探测器的能谱。

（4）cdb（符合多普勒扩展谱）模式
cdb模式是对两个ge半导体探测器的符合计数，取每个峰峰值，得到正电子湮没符合计数的多普勒展宽。

 
（5）amoc(正电子寿命-动量关联谱）模式
amoc模式是两个baf 2闪烁体探测器和一个ge半导体探测器的符合计数来测量正电子寿命 - 动量关联谱的模式。